MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
2 436Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 16.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
904Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
311Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
5 000Oczekiwane: 22.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape