P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Central Semiconductor P-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low rDS(ON) and low threshold voltage. CMUDM8004 and CMUDM8005 ULTRAmini™ MOSFETs, CMLDM8005 PICOmini™, and CMNDM8001 FEMTOmini™ devices are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CMUDM8004 / CMUDM8005 and CMNDM8001 MOSFETs are manufactured by the P-channel DMOS process. CMLDM8005 features 350mW power dissipation.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Central Semiconductor MOSFETs SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 2 417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFETs SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 101 701Dostępne z magazynu fabrycznego
Min.: 8 000
Wielokr.: 8 000
Szpula: 8 000

Si 2.4 Ohms Reel