Tranzystory IGBT – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 28

Zastosowane filtry:

Technologia

Opakowanie/obudowa

Styl mocowania

Konfiguracja

Max. napięcie kolektor-emiter VCEO

Napięcie nasycenia kolektor-emiter

Maksymalne napięcie bramka–emiter

Ciągły prąd kolektora przy 25°C

Pd – strata mocy

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }