UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor

onsemi UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor exhibits ultra-low on resistance (RDS(on)) in a compact TOLL package. This feature makes it ideal for addressing the challenging thermal and space constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The UJ4N JFET from onsemi uses robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło
Prąd dren–źródło przy Vgs=0
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi JFETs UJ4N075005K4S
Karta charakterystyki
476Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFETs UJ4N075004L8S
Karta charakterystyki
57Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 11.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape