Wyniki: 119
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
14 898Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
16 975Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 070Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 999Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 818Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
2 992Oczekiwane: 14.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Karta charakterystyki
2 500Oczekiwane: 18.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 880Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 12.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
500Oczekiwane: 22.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 500Oczekiwane: 20.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube