Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET 17 590Na stanie magazynowym
24 000Oczekiwane: 09.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 180 mA 2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID 14 858Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 300 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch 3 233Na stanie magazynowym
8 000Oczekiwane: 06.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT DFN-0604-3 N-Channel 1 Channel 20 V 150 mA 2 Ohms - 10 V, 10 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel