Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
Karta charakterystyki
25 395Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Si SMD/SMT DFN-0604-3 N-Channel 1 Channel 20 V 150 mA 2 Ohms - 10 V, 10 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
Karta charakterystyki
972Na stanie magazynowym
40 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 180 mA 2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID
Karta charakterystyki
15 530Oczekiwane: 06.05.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 300 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel