PrimePACK™3+ B-Series Modules

Infineon Technologies PrimePACK™3+ B-Series Modules are designed with Trench/Fieldstop IGBT5 and emitter-controlled 5 diodes. These modules feature extended operating temperature, high short-circuit capability, and unbeatable robustness. The PrimePACK™3+ modules offer high creepage and clearance distances, high power and thermal cycling capability, and high power density. These modules are ideal for high-power converters, motor drives, solar equipment, UPS systems, traction drives, and wind turbines.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 1500 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
Karta charakterystyki
Czas realizacji 13 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray