Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 4.82 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDMC8200

Nr prod.:

FDMC8200

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Karta charakterystyki:

FDMC8200 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDMC8200

Na stanie magazynowym: 2 141

Stany magazynowe:: 2 141 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,82 zł	4,82 zł
	3,00 zł	30,00 zł
	1,99 zł	199,00 zł
	1,56 zł	780,00 zł
	1,41 zł	1 410,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,23 zł	3 690,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-33-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	18 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	16 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	7.3 nC, 16 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.9 W, 2.2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TH
Czas zanikania:	1.3 ns, 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	29 S, 56 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	3.1 ns, 4 ns
Seria:	FDMC8200
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns, 38 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns, 13 ns
Jednostka masy:	186 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDMC8200 Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFETs

onsemi FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFET modules provide a high output current capability in a 5mm x 6mm dual MOSFET solution. These modules incorporate control and synchronous MOSFET as well as a monolithic Schottky body diode in a PQFN package. The switch node has been internally connected to allow easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET are designed to deliver optimal power efficiency for output currents up to 30A. These onsemi devices are optimized to minimize the combination of conduction and switching losses from 300kHz to 600kHz, delivering reliable, highest power efficiency for point-of-load and multi-phase synchronous buck DC-DC applications.

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

The onsemi FDMC8200 and FDMC8296 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFETs are 30V, 9.5 mΩ, and 20 mΩ devices that include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node of the onsemi FDMC8200 / FDMC8296 has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET in these onsemi devices are designed to provide optimal power efficiency. The FDMC8200 / FDMC8296 is optimized for use in mobile computing, mobile Internet devices, and general purpose point of load applications.