Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 92.32 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NXVF6532M3TG01

Nr prod.:

NXVF6532M3TG01

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NXVF6532M3TG01 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXVF6532M3TG01

Na stanie magazynowym: 46

Stany magazynowe:: 46 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	92,32 zł	92,32 zł
	75,55 zł	755,50 zł
	66,74 zł	6 674,00 zł
25 000	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-16
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	44 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 C
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	58 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	65.2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Quad
Czas zanikania:	9.2 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	12 S
Opakowanie:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	6 ns
Seria:	NXVF6532M3TG01
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	4 N-Channel
Rodzaj:	Half Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	33.2 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXVF6532M3TG01 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.