MJD148 NPN 45V 4A High Power Bipolar Transistor

Nexperia MJD148 NPN 45V 4A High Power Bipolar Transistor comes in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) surface-mounted device (SMD) plastic package. These devices have a high thermal power dissipation capability and have high energy efficiency due to less heat generation. The Nexperia MJD148 has a low collector-emitter saturation voltage and has fast switching speeds. Typical applications for these devices are power management, load switch, linear mode voltage regulator, constant current drive backlighting, motor drives, and relay replacement. The MJD148-Q bipolar transistor is AEC-Q101 qualified.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Kwalifikacje Opakowanie
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT 2 014Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 014
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 7 A 45 V 6 V 500 mV 1.6 W 3 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 45V 4A NPN HI PWR BJT 2 116Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 116
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 4 A 45 V 6 V 500 mV 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel