Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

SIC10A065T-AU_T0_000A1

Name: Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1
Brand: Panjit
SKU: 241-SIC10A065TAUT000
Price: 18.1 PLN
Availability: Discontinued

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

241-SIC10A065TAUT000

Nr prod.:

SIC10A065T-AU_T0_000A1

Produc.:

Panjit

Opis:

SiC Schottky Diodes PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

Cykl życia:

NRND:

Niezalecane dla nowych projektów.

Karta charakterystyki:

SIC10A065T-AU_T0_000A1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 22 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 2000 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	18,10 zł	36 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Panjit
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220AC-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	10 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	650 V
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	400 A
Ir – Prąd wsteczny:	20 uA
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	Panjit
Pd – strata mocy:	115 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Vr – napięcie wsteczne:	650 V
Jednostka masy:	1,890 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIC10A065T-AU_T0_000A1 Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on V_F. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (I_F) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.