1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 32
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET Modules EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
Karta charakterystyki
36Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
72Oczekiwane: 11.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET Modules Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Karta charakterystyki
120Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Nie
Discrete Semiconductor Modules Si