Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Wyniki: 271
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 1 124Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 1 220Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V 79Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 31Na stanie magazynowym
100Oczekiwane: 02.07.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 258Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 279Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 150

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 141Na stanie magazynowym
7 500Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V 119Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 19.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 240
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K 2 928Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 290
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 3 164Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 529Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 356Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 31Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A 428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A 1 533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 453Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 861Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 98Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V 1 479Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 11.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 530
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 1 143Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFETBVDSS: 31V-40V 210Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 13.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 3 126Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V 1 304Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 15.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 70
: 2 500