Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

BSN20BKR

Name: Nexperia BSN20BKR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSN20BKR
Price: 0.9 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-BSN20BKR

Nr prod.:

BSN20BKR

Produc.:

Nexperia

Opis:

MOSFETs SOT23 N-CH 60V .265A

Karta charakterystyki:

BSN20BKR Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Nexperia BSN20BKR

Na stanie magazynowym: 60 982

Stany magazynowe:: 60 982 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	0,903 zł	0,90 zł
	0,554 zł	5,54 zł
	0,349 zł	34,90 zł
	0,256 zł	128,00 zł
	0,223 zł	223,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,185 zł	555,00 zł
	0,168 zł	1 008,00 zł
	0,139 zł	1 251,00 zł
	0,13 zł	3 120,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Nexperia
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	265 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	2.8 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	600 mV
Qg – ładunek bramki:	490 pC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	402 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Nexperia
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5.1 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8.4 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel Trench MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	12.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7.9 ns
Nazwy umowne nr części:	934068054215
Jednostka masy:	8 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSN20 60V N-channel trench MOSFET is a logic-level compatible, fast switching MOSFET. The BSN20 is suitable for high-frequency applications with logic-level gate drive sources. Based on Trench MOSFET technology, this device is ideal for use in computing, communications, consumer, and industrial applications.