IXTQ34N65X2M & IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs

IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs feature a 650V drain-source breakdown voltage and either a 34A or 48A continuous drain current. IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated devices that operate over a -55°C to +150°C operating temperature range. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, and more.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
IXYS MOSFETs TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube