Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

M1TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1TP80M12W2-2LA
Price: 147.32 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-M1TP80M12W2-2LA

Nr prod.:

M1TP80M12W2-2LA

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

M1TP80M12W2-2LA Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 132 Wielokrotności: 132

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	147,32 zł	19 446,24 zł
528	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Styl mocowania:	Press Fit
Liczba kanałów:	6 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	30 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	114 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V to + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Produkt:	Power Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Wielkość opakowania producenta:	132
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.1 V

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

M1TP80M12W2-2LA Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-8-1 (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT‑32 SiC Power Module

STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC Power Module is a 32-pin, dual-inline, molded, through-hole module ideal for automotive applications. The power module features a SiC MOSFET Gen2 power switch, which ensures a low 80mΩ R_DS(on) value. STMicroelectronics M1TP80M12W2-2LA ACEPACK DMT-32 SiC Power Module offers a totem pole topological configuration and 1200V breakdown voltage rating. The module's high power density and compact design can be utilized in on-board chargers (OBCs), DC/DC converters, fluid pumps, and HVAC systems.