CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V Power MOSFETs are designed according to the Superjunction (SJ) principle to offer low switching and conduction losses. These MOSFETs are suitable for hard and soft switching topologies due to the devices' commutation ruggedness. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs feature fast design‑in through low ringing tendency and usage across the PFC and PWM stages. These MOSFETs enable simplified thermal management through an advanced die attach technique. The CoolMOS™ CM8 650V MOSFETs are RoHS compliant and fully qualified as per JEDEC standards for industrial applications. Typical applications include LLC resonant converters, AI servers, telecom power supplies, and data centers.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
1 998Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 31.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
566Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
508Na stanie magazynowym
2 250Oczekiwane: 02.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
685Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
1 515Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
1 071Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
1 843Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
195Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
117Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
447Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
194Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Karta charakterystyki
163Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube