NVMFWS0D4N04XM Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS0D4N04XM Single N-Channel Power MOSFETs are available in a 5mm x 6mm SO8-FL package with a compact design. These MOSFETs feature 40V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, and 197W power dissipation (TC=25°C). The NVMFWS0D4N04XM power MOSFETs offer low resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The NVMFWS0D4N04XM power MOSFETs are Pb, halogen and BFR free, and are RoHS compliant. Typical applications include motor drive, battery protection, reverse battery protection, synchronous rectification, switching power supplies, and power switches.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE 3 424Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 0.42 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
1 500Oczekiwane: 20.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 mOhms 20 V 3.5 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape