Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Pd – strata mocy
Opakowanie/obudowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Karta charakterystyki
13Na stanie magazynowym
15Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Karta charakterystyki
17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
15Oczekiwane: 21.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT
Karta charakterystyki
15Oczekiwane: 24.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk