750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs feature higher breakdown voltage, offering increased design margin to support customer applications. These MOSFETs enable high system power density with a low-profile design in the TO-247-4 LP package and surface mount technology in the TO-263-7 XL package options. This enables designers to select the right part for their application. The Wolfspeed 750V MOSFETs facilitate efficient power conversion in diverse power systems. These systems include high-performance industrial power supplies, energy storage systems in Electrical Vehicle (EV) converters, and EV HVAC motor drives.

Wyniki: 11
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
1 130Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
451Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
423Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
359Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
137Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
674Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
257Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
584Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Karta charakterystyki
335Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement