LM74700EVM

Texas Instruments
595-LM74700EVM
LM74700EVM

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools LM74700EVM

Karta charakterystyki:

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
4
Oczekiwane: 14.07.2026
15
Oczekiwane: 18.09.2026
Średni czas produkcji:
12
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 5
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
253,09 zł 253,09 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS:  
Evaluation Modules
Ideal Diode
3.9 V to 65 V
3.9 V to 65 V
LM74700-Q1
LM74700
Marka: Texas Instruments
Prąd wyjścia: 5 A
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Jednostka masy: 243 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543709990
CAHTS:
8473302000
USHTS:
8473301180
MXHTS:
8473300401
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Stany Zjednoczone
Kraj montażu:
Stany Zjednoczone
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

LM74700EVM Evaluation Module

Texas Instruments LM74700EVM Evaluation Module is configured to evaluate the operation of the LM74700-Q1 smart diode controller. The LM74700-Q1 Ideal Diode Controllers operate in conjunction with an external N-channel MOSFET for low-loss reverse polarity protection with a 20mV forward voltage drop. The Texas Instruments LM74700EVM Evaluation Module demonstrates how an N-channel power MOSFET can add up to a very low forward voltage diode with low IQ and low-leakage current flowing through the IC.