NEVB21-USBC1UL

Nexperia
771-NEVB21-USBC1
NEVB21-USBC1UL

Produc.:

Opis:
Other Development Tools USB Type-C ESD protection evaluation

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
2
Średni czas produkcji:
53
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 2 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
234,78 zł 234,78 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Inne narzędzia rozwojowe
RoHS:  
Bulk
Marka: Nexperia
Rodzaj produktu: Other Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
CAHTS:
8473302000
USHTS:
8473301180
MXHTS:
8473300401
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Holandia
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Płyta testowa NEVB21-USBC1UL USB Type-C™ ESD

Płyta testowa NEVB21-USBC1UL USB Type-C™ ESD firmy Nexperia została zaprojektowana w celu demonstrowania zminiaturyzowanej ochrony przed wyładowaniami elektrostatycznymi portów USB Type-C. Na płycie testowej NEVB21-USBC1UL umieszczono diody chroniące przed wyładowaniami elektrostatycznymi w miniaturowych obudowach DFN0603-3 o wymiarach 0,63 mm x 0,33 mm x 0,25 mm. Urządzenia te oferują dwa urządzenia zabezpieczające w jednej obudowie, zapewniając korzyści wynikające z zastosowania technologii TrEOS, bardzo małą pojemność, bardzo niskie tłumienie i bardzo dużą wytrzymałość. Urządzenia te zapewniają również wyjątkową wydajność RF na szybkich liniach danych.