Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 4.56 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STGD4H60DF

Nr prod.:

STGD4H60DF

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

STGD4H60DF Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STGD4H60DF

Na stanie magazynowym: 2 485

Stany magazynowe:: 2 485 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,56 zł	4,56 zł
	2,86 zł	28,60 zł
	1,89 zł	189,00 zł
	1,51 zł	755,00 zł
	1,36 zł	1 360,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,23 zł	3 075,00 zł
	1,04 zł	5 200,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Styl mocowania:	SMD/SMT
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	600 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.95 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	8 A
Pd – strata mocy:	75 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	IGBTs
Jednostka masy:	330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STGD4H60DF Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGD4H60DF 600V 4A High-Speed H Series IGBT

STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A High-Speed H Series IGBT is designed with an advanced trench gate field-stop structure. The STMicroelectronics STGD4H60DF IGBTs in the H Series balance conduction and switching efficiency, making them ideal for high-frequency converters. The devices also offer a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution for safer parallel operation.