Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Name: Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM22011600LRFPS
Price: 11.35 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

610-CDM22011600LRFPS

Nr prod.:

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Produc.:

Central Semiconductor

Opis:

MOSFETs N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Cykl życia:

Zamówienie specjalne z fabryki:

Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować aktualne ceny, czas realizacji zamówienia i wymagania producenta.

Karta charakterystyki:

CDM22011-600LRFP SL PBFREE Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Na stanie magazynowym: 353

Stany magazynowe:: 353 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Ilości większe niż 353 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	11,35 zł	11,35 zł
	5,68 zł	56,80 zł
	5,07 zł	507,00 zł
	4,11 zł	2 055,00 zł
	3,99 zł	3 990,00 zł
	3,88 zł	9 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Central Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	600 V
Id – Ciągły prąd drenu:	11 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	300 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	23.05 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	UltraMOS
Opakowanie:	Tube
Marka:	Central Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CDM22011-600LRFP SL PBFREE Karta charakterystyki

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low R_DS(ON) and low threshold voltage.

CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency. These devices are offered in through-hole and surface mount.