Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4

Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4 firmy Qorvo to wysokowydajna seria zapewniająca najlepszą w branży jakość. Tranzystory FET SiC UF4C/SC 1200 V Gen 4 nadają się idealnie do głównego nurtu architektury magistrali 800 V w ładowarkach wbudowanych w pojazdach elektrycznych, ładowarkach przemysłowych, zasilaczach przemysłowych, odnawialnych źródłach energii, magazynach energii, spawalniach, zasilaczach UPS i zastosowaniach związanych z ogrzewaniem indukcyjnym. Seria Gen 4 dostępna w wersjach od 23 mΩ do 70 mΩ bazuje na unikalnej konfiguracji kaskody, w której wysokowydajny SiC JFET jest połączony ze zoptymalizowaną kaskodą Si-MOSFET, tworząc standardowe urządzenie SiC do zasilania bramki. Właściwość ta pozwala na elastyczne projektowanie bez zmiany napięcia zasilania bramki, łatwo zastępując układy Si IGBT, Si FET, SiC FET lub urządzenia superzłączowe Si.