Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MCGWF085P10-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCGWF085P10-TP
Price: 3.77 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

833-MCGWF085P10-TP

Nr prod.:

MCGWF085P10-TP

Produc.:

Micro Commercial Components (MCC)

Opis:

MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-8(SWF)

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

MCGWF085P10-TP Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10-TP

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	3,77 zł	3,77 zł
	2,37 zł	23,70 zł
	1,54 zł	154,00 zł
	1,20 zł	600,00 zł
	0,985 zł	985,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
	0,882 zł	4 410,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN3333-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	16 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	102 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	44.4 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	56.8 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	31 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	42 ns
Wielkość opakowania producenta:	5000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	91 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MCGWF085P10-TP Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.

MCGWF085P10 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCGWF085P10 Power MOSFET is a -100V (V_DS) P-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCGWF085P10 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 44.4nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 56.8W and is housed in a DFN3333-8 (SWF) surface-mount package. The MCGWF085P10 MOSFET is suitable for applications that require efficient switching and power handling in compact designs, such as DC-DC converters, load switches, and battery-powered devices.