Tranzystory mocy MOSFET serii E na bazie węglika krzemu do zastosowań motoryzacyjnych

Przeznaczone do stosowania w motoryzacji tranzystory mocy MOSFET serii E na bazie węglika krzemu firmy Wolfspeed są zgodne z certyfikatem PPAP, odporne na wilgoć i mają kanał typu N. Podzespoły oferują niskie straty przy przełączaniu i wysoką jakość oraz są zoptymalizowane pod kątem wykorzystania w napędach silnikowych EV HVAC, ładowarkach pokładowych EV i przetwornicach wysokiego napięcia DC-DC.

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3 Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 53 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3 Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 97.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3 Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement