Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 3.43 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

781-SIA429DJT-T1-GE3

Nr prod.:

SIA429DJT-T1-GE3

Produc.:

Vishay Semiconductors

Opis:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Karta charakterystyki:

SIA429DJT-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIA429DJT-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 3 210

Stany magazynowe:: 3 210 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,43 zł	3,43 zł
	2,13 zł	21,30 zł
	1,38 zł	138,00 zł
	1,06 zł	530,00 zł
	0,953 zł	953,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,819 zł	2 457,00 zł
	0,785 zł	4 710,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SC-70-6
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	12 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	20.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, 8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	62 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	3.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET, PowerPAK
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay Semiconductors
Konfiguracja:	Single
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	SIA
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Nazwy umowne nr części:	SIA429DJT-GE3

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIA429DJT-T1-GE3 Karta charakterystyki

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET^® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.