RB098BGE Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RB098BGE Schottky Barrier Diodes are high reliability, power mold type devices. The RB098BGE features super low IR and a cathode common dual type. The device also features a silicon epitaxial planar structure.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 60V 6A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
2 359Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 30V 3A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
2 490Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 40V 3A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel