LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 28 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk