PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba sterowników
Liczba wyjść
Prąd wyjścia
Napięcie zasilania – min.
Napięcie zasilania – max.
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Karta charakterystyki
330Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Gate Drivers High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Karta charakterystyki
403Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape