Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMFSC006N12MC

Name: onsemi NTMFSC006N12MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC006N12MC
Price: 12.04 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMFSC006N12MC

Nr prod.:

NTMFSC006N12MC

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Karta charakterystyki:

NTMFSC006N12MC Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMFSC006N12MC

Na stanie magazynowym: 2 411

Stany magazynowe:: 2 411 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 33 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	12,04 zł	12,04 zł
	7,83 zł	78,30 zł
	5,42 zł	542,00 zł
	4,64 zł	2 320,00 zł
	4,43 zł	4 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	4,34 zł	13 020,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	120 V
Id – Ciągły prąd drenu:	92 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	48 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	104 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	5.7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	5.3 ns
Seria:	NTMFSC006N12MC
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15.2 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMFSC006N12MC Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSC006N Dual Cool N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFSC006N Dual Cool™ N-Channel Power MOSFET offers the power Trench^® process in a dual-sided cooled packaging. This power MOSFET features ultra-low R_DS(ON), 120V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, 1459A pulsed drain current, and 150°C maximum operating junction/storage temperature. The NTMFSC006N Dual Cool™ N-channel power MOSFET is 100% UIL tested and RoHS-compliant. Typical applications include AC-DC merchant power supply, primary DC-DC FET, synchronous rectifier, and DC-DC conversion.