Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs SOT363 2NCH 60V .22A 45 689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.7 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 460 pC - 55 C + 150 C 286 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT363 N-CH 60V .25A 174Na stanie magazynowym
57 000Oczekiwane: 19.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT23 N-CH 60V .27A
191 795Oczekiwane: 20.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel