Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

IXTY2P50PA

Name: IXYS IXTY2P50PA
Brand: IXYS
SKU: 576-IXTY2P50PA
Price: 17.85 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

576-IXTY2P50PA

Nr prod.:

IXTY2P50PA

Produc.:

IXYS

Opis:

MOSFETs Discrete MOSFET -2A -500V PolarP TO-252

Karta charakterystyki:

IXTY2P50PA Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS IXTY2P50PA

Na stanie magazynowym: 732

Stany magazynowe:: 732 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 28 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	17,85 zł	17,85 zł
	13,59 zł	135,90 zł
	8,13 zł	569,10 zł
	8,04 zł	4 502,40 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	500 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.2 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	11.9 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	58 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	IXYS
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	66 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	1.4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	62 ns
Wielkość opakowania producenta:	70
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	54 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	26 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IXTY2P50PA Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET

Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET is an easy-to-mount AEC-Q101 qualified MOSFET with low package inductance. This MOSFET is fabricated using the rugged PolarP™ process, features a compact design, and is avalanche-rated. The IXTY2P50PA MOSFET offers -500V drain-source voltage, -2A avalanche current, 150mJ avalanche energy, and 58W power dissipation. This MOSFET operates within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include high-side switches, push-pull amplifiers, automatic test equipment, current regulators, and DC choppers.