PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode is designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The Nexperia PSC1065K SiC Schottky diode is encapsulated in a Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021) through-hole power plastic package. The product offers temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an outstanding figure-of-merit (QC x VF). The Merged PiN Schottky (MPS) diode improves the robustness expressed in a high IFSM.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Nexperia SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SCHOTTKY
Karta charakterystyki
876Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 50

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia SiC Schottky Diodes PSC1065J-Q/SOT8018/TO263-2L
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 18.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape