Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFD5C462NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C462NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C462NLWFT
Price: 14.36 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMFD5C462NLWFT

Nr prod.:

NVMFD5C462NLWFT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs T6 40V LL S08FL DS

Karta charakterystyki:

NVMFD5C462NLWFT1G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFD5C462NLWFT1G

Na stanie magazynowym: 46

Stany magazynowe:: 46 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 50 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 46 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,36 zł	14,36 zł
	9,41 zł	94,10 zł
	6,72 zł	672,00 zł
	5,96 zł	2 980,00 zł
	5,04 zł	5 040,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	5,04 zł	7 560,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SO-8FL-Dual-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	2 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	84 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.9 mOhms, 3.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.2 V
Qg – ładunek bramki:	23 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	50 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Czas zanikania:	6 ns, 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	70 S, 70 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns, 16 ns
Seria:	NVMFD5C462NL
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns, 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns, 11 ns
Jednostka masy:	161,193 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFD5C462NLWFT1G Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Japonia

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.