Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FGHL40T65MQDT

Name: onsemi FGHL40T65MQDT
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL40T65MQDT
Price: 19.24 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-FGHL40T65MQDT

Nr prod.:

FGHL40T65MQDT

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE

Karta charakterystyki:

FGHL40T65MQDT Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FGHL40T65MQDT

Na stanie magazynowym: 354

Stany magazynowe:: 354 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	19,24 zł	19,24 zł
	10,79 zł	107,90 zł
	8,90 zł	1 068,00 zł
	8,23 zł	8 394,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.45 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	- 20 V, 20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	60 A
Pd – strata mocy:	238 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	FGHL40T65MQDT
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	CN
Kraj wytworzenia:	KR
Kraj pochodzenia:	CN
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	IGBTs

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FGHL40T65MQDT Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FGHL40T65MQDT Field Stop Trench IGBT

onsemi FGHL40T65MQDT Field Stop Trench IGBT is a 4^th generation mid-speed IGBT technology co-packed with a fully rated current diode. Features include smooth and optimized switching, high current capability, and tight parameter distribution. This IGBT operates at 175°C maximum junction temperature. Applications include solar inverters, UPS, ESS, PFC, and converters.

FS4 IGBTs

onsemi FS4 IGBTs are a powerful and efficient solution for various industrial and automotive applications. The onsemi FS4 has a maximum junction temperature of 175°C. These IGBTs are built to withstand even the harshest operating conditions.