NTBG023N065M3S

onsemi
863-NTBG023N065M3S
NTBG023N065M3S

Produc.:

Opis:
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NTBG023N065M3S

Na stanie magazynowym: 577

Stany magazynowe:
577 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
23 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 20
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
44,18 zł 44,18 zł
30,62 zł 306,20 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
30,62 zł 24 496,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Moduły MOSFET SIC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
33 mOhms
- 8 V, + 22 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
EliteSiC
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 9.6 ns
Opakowanie: Reel
Opakowanie: Cut Tape
Produkt: SiC MOSFETS
Rodzaj produktu: SiC MOSFETS
Czas narastania: 15 ns
Seria: NTBG023N065M3S
Wielkość opakowania producenta: 800
Podkategoria: Transistors
Technologia: SiC
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 11 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Chiny
Kraj montażu:
Chiny
Kraj wytworzenia:
Korea Południowa
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET offers an M3S planar technology for fast-switching applications in a D2PAK-7L package. This MOSFET features 650V drain-to-source voltage, 40A continuous drain current, 263W power dissipation, and 216A pulsed drain current. The NTBG023N065M3S MOSFET integrates an ultra-low gate charge and high-speed switching MOSFET with low capacitance (Coss = 153pF). This MOSFET operates at -55°C to 175°C temperature range and is 100% avalanche-tested. The NTBG023N065M3S MOSFET is Halide-free and RoHS compliant with a 7a exemption. Typical applications include Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.