HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) are gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT), cascode distributed power amplifiers. Analog Devices MMICs are self-biased in normal operation and feature optional bias control for quiescent current (IDQ) adjustment and the second-order intercept (IP2) and third-order intercept (IP3) optimization. The amplifiers operate from DC to 7.5GHz, providing 15.5dB of small signal gain and 28dBm output power at 1dB gain compression. The devices also feature a typical output IP3 of 39dBm, and a 3.5dB noise figure, while requiring 345mA from a 12V supply voltage (VDD).

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza Napięcie robocze zasilania Prąd roboczy zasilania Wzmocnienie NF – współczynnik szumów Rodzaj Styl mocowania Opakowanie/obudowa Technologia P1dB – Punkt kompresji OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier Distributed amp 121Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier Distributed amp Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Reel