ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors

Ampleon ART1K6FH LDMOS RF Power Transistors are 1600W LDMOS RF power transistors based on Advanced Rugged Technology (ART). The Ampleon ART1K6FH transistors cover various ISM, broadcast, and communications applications. The unmatched transistors offer a 1MHz to 425MHz frequency range. Designed for broadband operation, the Ampleon ART1K6FH transistors deliver high efficiency and excellent thermal stability/ruggedness with no device degradation.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Ampleon RF MOSFET Transistors ART1K6FH/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
132Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100
Szpula: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon RF MOSFET Transistors ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray