Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
Karta charakterystyki
1 980Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
Karta charakterystyki
1 907Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
Karta charakterystyki
1 429Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFETs 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
Karta charakterystyki
5 743Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel