Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

LSIC1MO170E0750

Name: IXYS LSIC1MO170E0750
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO170E0750
Price: 30.7 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

576-LSIC1MO170E0750

Nr prod.:

LSIC1MO170E0750

Produc.:

IXYS

Opis:

SiC MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Karta charakterystyki:

LSIC1MO170E0750 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o IXYS LSIC1MO170E0750

Na stanie magazynowym: 1 927

Stany magazynowe:: 1 927 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 29 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	30,70 zł	30,70 zł
	18,02 zł	180,20 zł
	15,87 zł	1 587,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	IXYS
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.7 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	6.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	13 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	60 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	IXYS
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Seria:	LSIC1MO
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

LSIC1MO170E0750 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LSIC1MO170E0750 N-Channel SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750 is a 750mΩ N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET optimized for high-frequency and high-efficiency applications. The low gate resistance and ultra-low on-resistance make it suitable for high-frequency switching applications. This device features extremely low gate charge and output capacitance, as well as normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO170E0750 is suitable for a variety of applications that utilize high-frequency switching, such as switch-mode power supplies, solar inverters, UPS systems, high voltage DC-DC converters, and more.

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.