N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

Wyniki: 12
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
2 575Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 003Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 047Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Karta charakterystyki
364Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 17.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
Karta charakterystyki
816Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
1 062Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
888Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
Karta charakterystyki
229Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 450 mOhms Enhancement Tube


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Karta charakterystyki
75Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 13 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V - 55 C + 150 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 13 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube