Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXH40B120MNQ1SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ1SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ1SNG
Price: 403.21 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NXH40B120MNQ1SNG

Nr prod.:

NXH40B120MNQ1SNG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC

Karta charakterystyki:

NXH40B120MNQ1SNG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXH40B120MNQ1SNG

Na stanie magazynowym: 6

Stany magazynowe:: 6 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Ilości większe niż 6 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	403,21 zł	403,21 zł
	387,52 zł	3 875,20 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	156 W
Seria:	NXH40B120MNQ1
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Wielkość opakowania producenta:	21
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	EliteSiC

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH40B120MNQ1SNG Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

Moduł MOSFET Full SiC NXH40B120MNQ1

Moduł MOSFET Full SiC NXH40B120MNQ1 firmy onsemi jest wyposażony w podwójny stopień wzmocnienia Full SiC z trzema tranzystorami MOSFET SiC 40 mΩ / 1200 V oraz trzema diodami SiC 40 A / 1200 V. Ten moduł MOSFET SiC zawiera trzy dodatkowe prostowniki bocznikujące 50 A / 1200 V do ograniczania prądu rozruchowego. Moduł NXH40B120MNQ1 charakteryzuje się niskim ładunkiem wstecznym, szybko przełączanymi diodami SiC, konstrukcją o niskiej indukcyjności, wlutowanymi stykami, termistorem, brakiem związków ołowiu, brakiem halogenów i BFR oraz zgodnością z dyrektywą RoHS. Ten moduł MOSFET SiC nadaje się idealnie do stosowania w falownikach fotowoltaicznych i zasilaczach awaryjnych.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.