SI6423ADQ-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI6423ADQ-T1-GE3
SI6423ADQ-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 5 749

Stany magazynowe:
5 749 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
5,42 zł 5,42 zł
3,40 zł 34,00 zł
2,26 zł 226,00 zł
1,77 zł 885,00 zł
1,61 zł 1 610,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,45 zł 4 350,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSSOP-8
P-Channel
1 Channel
20 V
12.5 A
9.8 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
112 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Czas zanikania: 36 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 70 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 4 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 120 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 12 ns
Jednostka masy: 158 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET

Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is offered in a TSSOP-8 package with a -20V drain-source voltage and 20mJ single pulse avalanche energy rating. This MOSFET features a single configuration design. It is halogen-free, RoHS compliant, and 100% Rg and UIS tested. Vishay Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is designed for load switches, battery switches, and power management applications.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.