Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MMBFJ110

Name: onsemi MMBFJ110
Brand: onsemi
SKU: 512-MMBFJ110
Price: 2.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-MMBFJ110

Nr prod.:

MMBFJ110

Produc.:

onsemi

Opis:

JFETs N-CH FET/SSOT-23

Karta charakterystyki:

MMBFJ110 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi MMBFJ110

Na stanie magazynowym: 14 710

Stany magazynowe:: 14 710 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	2,59 zł	2,59 zł
	1,60 zł	16,00 zł
	1,03 zł	103,00 zł
	0,791 zł	395,50 zł
	0,71 zł	710,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,589 zł	1 767,00 zł
	0,542 zł	3 252,00 zł
	0,499 zł	4 491,00 zł
	0,477 zł	11 448,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory JFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SSOT-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Konfiguracja:	Single
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	- 25 V
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	10 mA
Rds On – rezystancja dren–źródło:	18 Ohms
Pd – strata mocy:	460 mW
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	MMBFJ110
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Rodzaj produktu:	JFETs
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	40 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MMBFJ110 Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBFJ110 25V N-Channel JFET

onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET is designed for digital switching applications where very low on-resistance is mandatory. The MMBFJ110 N-Channel JFET has a drain-gate voltage of 25 volts and a drain-source on-resistance of 18Ω. The total dissipation for this device is 460 mW. The onsemi MMBFJ110 25V N-Channel JFET comes in a compact SuperSOT-3 package to help save board space.