60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs

IXYS 60V TrenchT3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are ultra-low on-resistance, rugged devices designed for industrial power conversion applications. TrenchT3 HiPerFET MOSFETs offer on-resistance as low as 3.1mΩ and withstand a junction temperature up to +175°C. The series is also avalanche rated at high avalanche current levels. Due to the high-current carrying capability of the TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs, paralleling multiple devices may not be necessary. This simplifies the power system and improves its reliability at the same time. The fast intrinsic body diode of TrenchT3 HiPerFET MOSFETs helps achieve high efficiency, especially during high-speed switching. IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs are available in TO-220, TO-263, and TO-247 international standard size packages for design flexibility.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

IXYS MOSFETs 60V/220A TrenchT3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 60V/270A TrenchT3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube