Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

GWA40MS120DF4AG

Name: STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-GWA40MS120DF4AG
Price: 24.38 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-GWA40MS120DF4AG

Nr prod.:

GWA40MS120DF4AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

Dokończ swój projekt

Karta charakterystyki:

GWA40MS120DF4AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG

Na stanie magazynowym: 568

Stany magazynowe:: 568 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	24,38 zł	24,38 zł
	12,26 zł	122,60 zł
	12,21 zł	1 465,20 zł
	10,58 zł	5 395,80 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	1.2 kV
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.95 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	80 A
Pd – strata mocy:	536 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Ciągły prąd kolektora – Ic max.:	80 A
Prąd upływowy bramka–emiter:	250 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	IGBTs

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

GWA40MS120DF4AG Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This IGBT, part of the MS series, is designed explicitly for inverter systems. Its outstanding short-circuit capability at high bus voltages makes it ideal for such applications. Also, the slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution contribute to safer paralleling operations. The GWA40MS120DF4AG automotive-grade IGBT features a 1200V collector-emitter voltage (V_GE=0V), 40A continuous collector current (T_C=100°C), and a 120A pulse forward current. This IGBT comes in a TO-247 long leads package and operates within the -55°C to 175°C temperature range. Typical applications include auxiliary loads, thermal management, and PTC heaters.