Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Wyniki: 79
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 60V 2.5A SOT-23S 2 868Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 2 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs N-CH 20V 0.2A SOT-723
10 000Oczekiwane: 18.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
6 000Oczekiwane: 03.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel