Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 25.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-TK095N65Z5S1F

Nr prod.:

TK095N65Z5,S1F

Produc.:

Toshiba

Opis:

MOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

TK095N65Z5,S1F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba TK095N65Z5,S1F

Na stanie magazynowym: 30

Stany magazynowe:: 30 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,59 zł	25,59 zł
	17,29 zł	172,90 zł
	14,49 zł	1 738,80 zł
	13,76 zł	7 017,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	29 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	95 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.5 V
Qg – ładunek bramki:	50 nC
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	230 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Tube
Marka:	Toshiba
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	40 ns
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	95 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	75 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

TK095N65Z5,S1F Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET

Toshiba TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET is a 650V, 95mΩ high-speed MOSFET in a TO-247 package. Designed for use in switching voltage regulator applications, TK095N65Z5 offers a fast recovery time (115ns typical) and a low drain-source on-resistance (0.079Ω typical). This MOSFET provides high-speed switching properties with a low capacitance.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.